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Keine M.2 SSD info_outline
-230,90 € M.2 SSD (PCIe5.0) Die Crucial T700 1TB ist eine M.2-2280-NVMe-SSD der T700-High-End-Serie auf Basis von Micron 232-Layer V-NAND TLC mit Phison-E26-Controller und PCIe-5.0-x4/NVMe-2.0-Schnittstelle – damit nahezu doppelt so schnell wie aktuelle PCIe-4.0-SSDs. Sequenzielle Lesegeschwindigkeiten von bis zu 11.700 MB/s und Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 9.500 MB/s beschleunigen Betriebssystemstarts, Spieleladezeiten, 3D-Rendering und 4K/8K-Videobearbeitung auf ein bisher unerreichtes Niveau für Consumer-Laufwerke. Microsoft-DirectStorage- und GPU-Decompression-Unterstützung ermöglichen bis zu 60 % schnelleres Rendern hochauflösender Texturen sowie bis zu 99 % weniger CPU-Auslastung beim Asset-Streaming. Der Phison-E26-Controller mit DRAM-Cache gewährleistet bis zu 1.350K/1.400K IOPS (4K Random Read/Write, QD512) für reaktionsschnelle Leistung auch unter hoher Last. Wärmeableitung über Mainboard-eigenen oder externen Kühlkörper ist zwingend erforderlich; ohne Kühlung kann das Laufwerk thermisch drosseln. Die T700 1TB (ohne Kühlkörper, CT1000T700SSD3) ist als beidseitig bestücktes M.2-2280-Modul kompatibel mit Intel-13th/14th-Gen- und AMD-Ryzen-7000-Plattformen mit PCIe-5.0-Steckplatz. TRIM-, S.M.A.R.T.- und AES-256-Bit-Hardwareverschlüsselung sowie ECC und Wear Leveling gewährleisten langfristige Datensicherheit und Integrität. Die Schreibausdauer beträgt 600 TBW, die MTBF ist mit 1,5 Millionen Stunden angegeben. Acronis True Image für Datenmigration steht als kostenloser Download zur Verfügung. # Technische Details Formfaktor: M.2 2280 (Key M, beidseitig) Schnittstelle: PCIe 5.0 x4 / NVMe 2.0 Kapazität: 1 TB (931,5 GiB nutzbar) NAND-Typ: Micron 232-Layer V-NAND TLC Controller: Phison E26 Cache: LPDDR4 DRAM Sequenzielles Lesen: bis zu 11.700 MB/s Sequenzielles Schreiben: bis zu 9.500 MB/s 4K Random Read (QD512): bis zu 1.350.000 IOPS 4K Random Write (QD512): bis zu 1.400.000 IOPS Schreibausdauer (TBW): 600 TBW MTTF: 1.500.000 Stunden Betriebstemperatur: 0–70 °C Lagertemperatur: -45–85 °C Abmessungen: 80 x 22 mm Sicherheit: AES-256-Bit-Hardwareverschlüsselung Hinweis: Betrieb nur mit Kühlkörper (Mainboard-eigener oder extern) Funktionen: TRIM, S.M.A.R.T., ECC, Wear Leveling, Microsoft DirectStorage, Acronis True Image Farbe: Schwarz Artikelnummer: CT1000T700SSD3 EAN: 0649528935632 #
1 TB Crucial T700 M.2 2280 NVMe PCIe 5.0 x4 SSD, 1 TB, Micron 232L V-NAND TLC, 11.700/9.500 MB/s, 600 TBW, AES-256 info_outline
-33,90 € Die Samsung 9100 PRO 1TB ist eine M.2-2280-NVMe-SSD der 9100-PRO-Flaggschiff-Serie auf Basis von Samsung V-NAND TLC (V8, 5-nm-Controller) und PCIe-5.0-x4/NVMe-2.0-Schnittstelle – damit rund doppelt so schnell wie die 990 PRO und das schnellste Consumer-Laufwerk im Samsung-Portfolio. Sequenzielle Lesegeschwindigkeiten von bis zu 14.800 MB/s und Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 13.400 MB/s beschleunigen AI-Workloads, 4K/8K-Videobearbeitung und Gaming auf ein bisher unerreichtes Niveau; zufällige Lese- und Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 2.200K/2.600K IOPS (4K, QD512) ermöglichen die schnelle parallele Verarbeitung unzähliger fragmentierter Daten. Der fortschrittliche 5-nm-In-house-Controller steigert die Energieeffizienz um bis zu 49 % gegenüber dem Vorgänger (1.822/1.703 MB/s pro Watt sequenziell Lesen/Schreiben). Intelligente TurboWrite-Technologie und Dynamic Thermal Guard gewährleisten dauerhaft stabile Hochleistung. Ein Kühlkörper (Mainboard-eigener oder externer) wird für optimalen Betrieb empfohlen. Die 9100 PRO 1TB (ohne Kühlkörper, MZ-VAP1T0BW) ist als M.2-2280-Modul mit 1 GB LPDDR4x-DRAM-Cache kompatibel mit Desktop-PCs und Notebooks mit PCIe-5.0-Steckplatz sowie mit der PlayStation 5. Abwärtskompatibilität mit PCIe-4.0-x4 und PCIe-3.0-x4 ist gewährleistet. AES-256-Bit-Hardwareverschlüsselung, TCG/Opal-2.0- und IEEE-1667/MS-eDrive-Unterstützung schützen gespeicherte Daten; BitLocker-Integration ist möglich. Samsung Magician Software und Samsung Data Migration stehen als kostenlose Downloads zur Verfügung. Die Schreibausdauer beträgt 600 TBW, die MTBF ist mit 1,5 Millionen Stunden angegeben. # Technische Details Formfaktor: M.2 2280 (Key M) Schnittstelle: PCIe 5.0 x4 / NVMe 2.0 (abwärtskompatibel PCIe 4.0/3.0 x4) Kapazität: 1 TB (931,5 GiB nutzbar) NAND-Typ: Samsung V-NAND TLC (V8) Controller: Samsung In-house (5 nm) Cache: 1 GB LPDDR4x DRAM Sequenzielles Lesen: bis zu 14.800 MB/s Sequenzielles Schreiben: bis zu 13.400 MB/s 4K Random Read (QD512): bis zu 2.200.000 IOPS 4K Random Write (QD512): bis zu 2.600.000 IOPS Schreibausdauer (TBW): 600 TBW MTTF: 1.500.000 Stunden Betriebstemperatur: 0–70 °C Lagertemperatur: -40–85 °C Stoßfestigkeit: 1.500 G / 0,5 ms Vibration: 20–2.000 Hz / 20 G Abmessungen: 80 x 22 x 2,38 mm Sicherheit: AES-256-Bit, TCG/Opal 2.0, IEEE 1667, MS eDrive Kühlkörper: nicht enthalten (empfohlen) Funktionen: TRIM, S.M.A.R.T., ECC, Intelligent TurboWrite, Dynamic Thermal Guard, Samsung Magician, Samsung Data Migration Farbe: Schwarz Artikelnummer: MZ-VAP1T0BW EAN: 8806095614946 #
1 TB Samsung 9100 PRO M.2 2280 NVMe PCIe 5.0 x4 SSD, 1 TB, Samsung V-NAND TLC V8, 14.800/13.400 MB/s, 600 TBW, AES-256 info_outline
-39,90 € Die Crucial T700 2TB ist eine M.2-2280-NVMe-SSD der T700-High-End-Serie auf Basis von Micron 232-Layer V-NAND TLC mit Phison-E26-Controller und PCIe-5.0-x4/NVMe-2.0-Schnittstelle – damit nahezu doppelt so schnell wie aktuelle PCIe-4.0-SSDs. Sequenzielle Lesegeschwindigkeiten von bis zu 12.400 MB/s und Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 11.800 MB/s beschleunigen Betriebssystemstarts, Spieleladezeiten, 3D-Rendering und 4K/8K-Videobearbeitung auf ein bisher unerreichtes Niveau für Consumer-Laufwerke. Microsoft-DirectStorage- und GPU-Decompression-Unterstützung ermöglichen bis zu 60 % schnelleres Rendern hochauflösender Texturen sowie bis zu 99 % weniger CPU-Auslastung beim Asset-Streaming. Bis zu 1.500K IOPS (4K Random Read/Write) sorgen für reaktionsschnelle Leistung auch unter hoher paralleler Last. Ein Kühlkörper (Mainboard-eigener oder externer) ist für optimalen Betrieb zwingend erforderlich; ohne Kühlung kann das Laufwerk thermisch drosseln. Die T700 2TB (ohne Kühlkörper, CT2000T700SSD3) ist als M.2-2280-Modul mit LPDDR4-DRAM-Cache kompatibel mit Intel-13th/14th-Gen- und AMD-Ryzen-7000-Plattformen mit PCIe-5.0-Steckplatz sowie mit der PlayStation 5. Abwärtskompatibilität mit PCIe-4.0-x4 ist gewährleistet. AES-256-Bit-Hardwareverschlüsselung und ECC sowie Wear Leveling gewährleisten langfristige Datensicherheit und Integrität. Die Schreibausdauer beträgt 1.200 TBW, die MTBF ist mit 1,5 Millionen Stunden angegeben. Acronis True Image für Datenmigration steht als kostenloser Download zur Verfügung. # Technische Details Formfaktor: M.2 2280 (Key M) Schnittstelle: PCIe 5.0 x4 / NVMe 2.0 (abwärtskompatibel PCIe 4.0 x4) Kapazität: 2 TB (1.863 GiB nutzbar) NAND-Typ: Micron 232-Layer V-NAND TLC Controller: Phison E26 Cache: LPDDR4 DRAM Sequenzielles Lesen: bis zu 12.400 MB/s Sequenzielles Schreiben: bis zu 11.800 MB/s 4K Random Read/Write: bis zu 1.500.000 IOPS Schreibausdauer (TBW): 1.200 TBW MTTF: 1.500.000 Stunden Betriebstemperatur: 0–70 °C Lagertemperatur: -45–85 °C Abmessungen: 80 x 22 mm Sicherheit: AES-256-Bit-Hardwareverschlüsselung Hinweis: Betrieb nur mit Kühlkörper (Mainboard-eigener oder extern) Funktionen: TRIM, S.M.A.R.T., ECC, Wear Leveling, Microsoft DirectStorage, Acronis True Image Farbe: Schwarz Artikelnummer: CT2000T700SSD3 EAN: 0649528935649 #
2 TB Crucial T700 M.2 2280 NVMe PCIe 5.0 x4 SSD, 2 TB, Micron 232L V-NAND TLC, 12.400/11.800 MB/s, 1.200 TBW, AES-256 info_outline
+127,90 € Die Samsung 9100 PRO 2TB ist eine M.2-2280-NVMe-SSD der 9100-PRO-Flaggschiff-Serie auf Basis von Samsung V-NAND TLC (V8, 5-nm-Controller) und PCIe-5.0-x4/NVMe-2.0-Schnittstelle – damit rund doppelt so schnell wie die 990 PRO und das schnellste Consumer-Laufwerk im Samsung-Portfolio. Sequenzielle Lesegeschwindigkeiten von bis zu 14.800 MB/s und Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 13.400 MB/s beschleunigen AI-Workloads, 4K/8K-Videobearbeitung und Gaming auf ein bisher unerreichtes Niveau; zufällige Lese- und Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 2.200K/2.600K IOPS (4K, QD512) ermöglichen die schnelle parallele Verarbeitung unzähliger fragmentierter Daten. Der fortschrittliche 5-nm-In-house-Controller steigert die Energieeffizienz um bis zu 49 % gegenüber dem Vorgänger (1.822/1.703 MB/s pro Watt sequenziell Lesen/Schreiben für das 2-TB-Modell). Intelligente TurboWrite-Technologie und Dynamic Thermal Guard gewährleisten dauerhaft stabile Hochleistung. Ein Kühlkörper (Mainboard-eigener oder externer) wird für optimalen Betrieb empfohlen. Die 9100 PRO 2TB (ohne Kühlkörper, MZ-VAP2T0BW) ist als M.2-2280-Modul mit 2 GB LPDDR4x-DRAM-Cache kompatibel mit Desktop-PCs und Notebooks mit PCIe-5.0-Steckplatz sowie mit der PlayStation 5. Abwärtskompatibilität mit PCIe-4.0-x4 und PCIe-3.0-x4 ist gewährleistet. AES-256-Bit-Hardwareverschlüsselung, TCG/Opal-2.0- und IEEE-1667/MS-eDrive-Unterstützung schützen gespeicherte Daten zuverlässig; BitLocker-Integration ist möglich. Samsung Magician Software und Samsung Data Migration stehen als kostenlose Downloads zur Verfügung. Die Schreibausdauer beträgt 1.200 TBW, die MTBF ist mit 1,5 Millionen Stunden angegeben. # Technische Details Formfaktor: M.2 2280 (Key M) Schnittstelle: PCIe 5.0 x4 / NVMe 2.0 (abwärtskompatibel PCIe 4.0/3.0 x4) Kapazität: 2 TB (1.863 GiB nutzbar) NAND-Typ: Samsung V-NAND TLC (V8) Controller: Samsung In-house (5 nm) Cache: 2 GB LPDDR4x DRAM Sequenzielles Lesen: bis zu 14.800 MB/s Sequenzielles Schreiben: bis zu 13.400 MB/s 4K Random Read (QD512): bis zu 2.200.000 IOPS 4K Random Write (QD512): bis zu 2.600.000 IOPS Schreibausdauer (TBW): 1.200 TBW MTTF: 1.500.000 Stunden Stromverbrauch (aktiv): ø 8,1 W / max. 7,9 W (Burst) Stromverbrauch (Standby): max. 4,8 mW Betriebstemperatur: 0–70 °C Lagertemperatur: -40–85 °C Abmessungen: 80,15 x 22,15 x 2,38 mm Sicherheit: AES-256-Bit, TCG/Opal 2.0, IEEE 1667, MS eDrive Kühlkörper: nicht enthalten (empfohlen) Funktionen: TRIM, S.M.A.R.T., ECC, Intelligent TurboWrite, Dynamic Thermal Guard, Samsung Magician, Samsung Data Migration Farbe: Schwarz Artikelnummer: MZ-VAP2T0BW EAN: 8806095614960 #
2 TB Samsung 9100 PRO M.2 2280 NVMe PCIe 5.0 x4 SSD, 2 TB, Samsung V-NAND TLC V8, 14.800/13.400 MB/s, 1.200 TBW, AES-256 info_outline
+86,90 € Die Crucial T700 4TB ist eine M.2-2280-NVMe-SSD der T700-High-End-Serie auf Basis von Micron 232-Layer V-NAND TLC mit Phison-E26-Controller und PCIe-5.0-x4/NVMe-2.0-Schnittstelle – damit nahezu doppelt so schnell wie aktuelle PCIe-4.0-SSDs. Sequenzielle Lesegeschwindigkeiten von bis zu 12.400 MB/s und Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 11.800 MB/s beschleunigen Betriebssystemstarts, Spieleladezeiten, 3D-Rendering und 4K/8K-Videobearbeitung auf ein bisher unerreichtes Niveau für Consumer-Laufwerke. Microsoft-DirectStorage- und GPU-Decompression-Unterstützung ermöglichen bis zu 60 % schnelleres Rendern hochauflösender Texturen sowie bis zu 99 % weniger CPU-Auslastung beim Asset-Streaming. Bis zu 1.500K IOPS (4K Random Read/Write) sorgen für reaktionsschnelle Leistung auch unter hoher paralleler Last. Ein Kühlkörper (Mainboard-eigener oder externer) ist für optimalen Betrieb zwingend erforderlich; ohne Kühlung kann das Laufwerk thermisch drosseln. Die T700 4TB (ohne Kühlkörper, CT4000T700SSD3) ist als M.2-2280-Modul mit LPDDR4-DRAM-Cache kompatibel mit Intel-13th/14th-Gen- und AMD-Ryzen-7000-Plattformen mit PCIe-5.0-Steckplatz sowie mit der PlayStation 5. Abwärtskompatibilität mit PCIe-4.0-x4 und PCIe-3.0-x4 ist gewährleistet. AES-256-Bit-Hardwareverschlüsselung und ECC sowie Wear Leveling gewährleisten langfristige Datensicherheit und Integrität. Die Schreibausdauer beträgt 2.400 TBW, die MTBF ist mit 1,5 Millionen Stunden angegeben. Acronis True Image für Datenmigration steht als kostenloser Download zur Verfügung. # Technische Details Formfaktor: M.2 2280 (Key M) Schnittstelle: PCIe 5.0 x4 / NVMe 2.0 (abwärtskompatibel PCIe 4.0/3.0 x4) Kapazität: 4 TB (3.725 GiB nutzbar) NAND-Typ: Micron 232-Layer V-NAND TLC Controller: Phison E26 Cache: LPDDR4 DRAM Sequenzielles Lesen: bis zu 12.400 MB/s Sequenzielles Schreiben: bis zu 11.800 MB/s 4K Random Read/Write: bis zu 1.500.000 IOPS Schreibausdauer (TBW): 2.400 TBW MTTF: 1.500.000 Stunden Betriebstemperatur: 0–70 °C Lagertemperatur: -45–85 °C Abmessungen: 80 x 22 mm Sicherheit: AES-256-Bit-Hardwareverschlüsselung Hinweis: Betrieb nur mit Kühlkörper (Mainboard-eigener oder extern) Funktionen: TRIM, S.M.A.R.T., ECC, Wear Leveling, Microsoft DirectStorage, Acronis True Image Farbe: Schwarz Artikelnummer: CT4000T700SSD3 EAN: 0649528935687 #
4 TB Crucial T700 M.2 2280 NVMe PCIe 5.0 x4 SSD, 4 TB, Micron 232L V-NAND TLC, 12.400/11.800 MB/s, 2.400 TBW, AES-256 info_outline
+253,90 € Die Samsung 9100 PRO 4TB ist eine M.2-2280-NVMe-SSD der 9100-PRO-Flaggschiff-Serie auf Basis von Samsung V-NAND TLC (V8, 5-nm-Controller) und PCIe-5.0-x4/NVMe-2.0-Schnittstelle – damit rund doppelt so schnell wie die 990 PRO und die leistungsstärkste Consumer-Kapazitätsstufe im Samsung-Portfolio. Sequenzielle Lesegeschwindigkeiten von bis zu 14.800 MB/s und Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 13.400 MB/s beschleunigen AI-Workloads, 4K/8K-Videobearbeitung und Gaming auf ein bisher unerreichtes Niveau; zufällige Lese- und Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 2.200K/2.600K IOPS (4K, QD32) ermöglichen die schnelle parallele Verarbeitung unzähliger fragmentierter Daten. Der fortschrittliche 5-nm-In-house-Controller steigert die Energieeffizienz um bis zu 49 % gegenüber dem Vorgänger. Intelligente TurboWrite-Technologie und Dynamic Thermal Guard gewährleisten dauerhaft stabile Hochleistung. Ein Kühlkörper (Mainboard-eigener oder externer) wird für optimalen Betrieb empfohlen. Die 9100 PRO 4TB (ohne Kühlkörper, MZ-VAP4T0BW) ist als M.2-2280-Modul mit 4 GB LPDDR4x-DRAM-Cache kompatibel mit Desktop-PCs und Notebooks mit PCIe-5.0-Steckplatz sowie mit der PlayStation 5. Abwärtskompatibilität mit PCIe-4.0-x4 und PCIe-3.0-x4 ist gewährleistet. AES-256-Bit-Hardwareverschlüsselung, TCG/Opal-2.0- und IEEE-1667/MS-eDrive-Unterstützung schützen gespeicherte Daten zuverlässig; BitLocker-Integration ist möglich. Samsung Magician Software und Samsung Data Migration stehen als kostenlose Downloads zur Verfügung. Die Schreibausdauer beträgt 2.400 TBW, die MTBF ist mit 1,5 Millionen Stunden angegeben. # Technische Details Formfaktor: M.2 2280 (Key M) Schnittstelle: PCIe 5.0 x4 / NVMe 2.0 (abwärtskompatibel PCIe 4.0/3.0 x4) Kapazität: 4 TB (3.725 GiB nutzbar) NAND-Typ: Samsung V-NAND TLC (V8) Controller: Samsung In-house (5 nm) Cache: 4 GB LPDDR4x DRAM Sequenzielles Lesen: bis zu 14.800 MB/s Sequenzielles Schreiben: bis zu 13.400 MB/s 4K Random Read (QD32): bis zu 2.200.000 IOPS 4K Random Write (QD32): bis zu 2.600.000 IOPS Schreibausdauer (TBW): 2.400 TBW MTTF: 1.500.000 Stunden Stromverbrauch (aktiv): ø 9,0 W / max. 8,2 W (Burst) Stromverbrauch (Standby): max. 6,5 mW Betriebstemperatur: 0–70 °C Lagertemperatur: -40–85 °C Stoßfestigkeit: 1.500 G / 0,5 ms Abmessungen: 80,15 x 22,15 x 2,38 mm Sicherheit: AES-256-Bit, TCG/Opal 2.0, IEEE 1667, MS eDrive Kühlkörper: nicht enthalten (empfohlen) Funktionen: TRIM, S.M.A.R.T., ECC, Intelligent TurboWrite, Dynamic Thermal Guard, Samsung Magician, Samsung Data Migration Farbe: Schwarz Artikelnummer: MZ-VAP4T0BW EAN: 8806095614984 #
4 TB Samsung 9100 PRO M.2 2280 NVMe PCIe 5.0 x4 SSD, 4 TB, Samsung V-NAND TLC V8, 14.800/13.400 MB/s, 2.400 TBW, AES-256 info_outline
+324,90 € M.2 SSD (PCIe4.0) Die Kingston NV3 500GB ist eine M.2-2280-NVMe-SSD der NV3-Einstiegsserie mit PCIe-4.0-x4-Schnittstelle und NVMe-Protokoll – damit ein erheblicher Leistungssprung gegenüber SATA-III-Laufwerken zum attraktiven Preis. Sequenzielle Lesegeschwindigkeiten von bis zu 5.000 MB/s und Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 3.000 MB/s beschleunigen Betriebssystemstarts, Spieleladezeiten und Dateitransfers spürbar. Der Maxio-MAP1602A-Controller nutzt Host Memory Buffer (HMB) als DRAM-Ersatz und minimiert damit Leistungsaufnahme sowie Wärmeentwicklung, ohne auf NVMe-Geschwindigkeit verzichten zu müssen. SLC-Write-Caching verbessert die Schreibleistung bei kleineren bis mittleren Dateimengen, ECC und Wear Leveling sorgen für langfristige Datensicherheit. Die NV3 500GB ist als einseitig bestücktes M.2-2280-Modul (22 × 80 mm, 2,6 g) besonders platzsparend und eignet sich für Desktop-PCs, Notebooks sowie als PS5-Erweiterungsspeicher. TRIM- und S.M.A.R.T.-Unterstützung ermöglichen Zustandsüberwachung mit marktüblichen Tools; Acronis True Image für Windows steht als kostenloser Download zur Datenmigration zur Verfügung. Die Schreibausdauer beträgt 160 TBW (JEDEC JESD219A), die MTBF ist mit 2 Millionen Stunden angegeben. Der Betriebstemperaturbereich liegt zwischen 0 und 70 °C. # Technische Details Formfaktor: M.2 2280 (Key M, einseitig) Schnittstelle: PCIe 4.0 x4 / NVMe Kapazität: 500 GB (465,7 GiB nutzbar) NAND-Typ: 3D NAND Controller: Maxio MAP1602A (HMB, DRAMless) Cache: HMB + SLC Write Cache (dynamisch) Sequenzielles Lesen: bis zu 5.000 MB/s Sequenzielles Schreiben: bis zu 3.000 MB/s Schreibausdauer (TBW): 160 TBW MTTF: 2.000.000 Stunden Betriebstemperatur: 0–70 °C Lagertemperatur: -40–85 °C Vibration: 20 G (10–1.000 Hz) Abmessungen: 80 x 22 x 2,3 mm Gewicht: 2,6 g Funktionen: TRIM, S.M.A.R.T., ECC, Wear Leveling, HMB, SLC Write Cache, Acronis True Image Artikelnummer: SNV3S/500G EAN: 0740617341072 #
500 GB Kingston NV3 (5.000/3.000 MB/s) M.2 2280 NVMe PCIe 4.0 x4 SSD, 500 GB, 3D NAND, 5.000/3.000 MB/s, 160 TBW, HMB info_outline
-137,90 € Die Kingston NV3 1TB ist eine M.2-2280-NVMe-SSD der NV3-Einstiegsserie mit PCIe-4.0-x4-Schnittstelle und NVMe-Protokoll – damit ein erheblicher Leistungssprung gegenüber SATA-III-Laufwerken zum attraktiven Preis. Sequenzielle Lesegeschwindigkeiten von bis zu 6.000 MB/s und Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 4.000 MB/s beschleunigen Betriebssystemstarts, Spieleladezeiten und Dateitransfers spürbar. Der Maxio-MAP1602A-Controller nutzt Host Memory Buffer (HMB) als DRAM-Ersatz und minimiert damit Leistungsaufnahme sowie Wärmeentwicklung, ohne auf NVMe-Geschwindigkeit verzichten zu müssen. SLC-Write-Caching verbessert die Schreibleistung bei kleineren bis mittleren Dateimengen, ECC und Wear Leveling sorgen für langfristige Datensicherheit. Die NV3 1TB ist als einseitig bestücktes M.2-2280-Modul (22 × 80 mm, 3,5 g) besonders platzsparend und eignet sich für Desktop-PCs, Notebooks sowie als PS5-Erweiterungsspeicher. TRIM- und S.M.A.R.T.-Unterstützung ermöglichen Zustandsüberwachung mit marktüblichen Tools; Acronis True Image für Windows steht als kostenloser Download zur Datenmigration zur Verfügung. Die Schreibausdauer beträgt 320 TBW (JEDEC JESD219A), die MTBF ist mit 2 Millionen Stunden angegeben. Der Betriebstemperaturbereich liegt zwischen 0 und 70 °C. # Technische Details Formfaktor: M.2 2280 (Key M, einseitig) Schnittstelle: PCIe 4.0 x4 / NVMe Kapazität: 1 TB (931,5 GiB nutzbar) NAND-Typ: 3D NAND Controller: Maxio MAP1602A (HMB, DRAMless) Cache: HMB + SLC Write Cache (dynamisch) Sequenzielles Lesen: bis zu 6.000 MB/s Sequenzielles Schreiben: bis zu 4.000 MB/s Schreibausdauer (TBW): 320 TBW MTTF: 2.000.000 Stunden Betriebstemperatur: 0–70 °C Lagertemperatur: -40–85 °C Vibration: 20 G (10–1.000 Hz) Abmessungen: 80 x 22 x 2,3 mm Gewicht: 3,5 g Funktionen: TRIM, S.M.A.R.T., ECC, Wear Leveling, HMB, SLC Write Cache, Acronis True Image Artikelnummer: SNV3S/1000G EAN: 0740617341089 #
1 TB Kingston NV3 (6.000/4.000 MB/s) M.2 2280 NVMe PCIe 4.0 x4 SSD, 1 TB, 3D NAND, 6.000/4.000 MB/s, 320 TBW, HMB info_outline
-94,90 € Die Kingston NV3 2TB ist eine M.2-2280-NVMe-SSD der NV3-Einstiegsserie mit PCIe-4.0-x4-Schnittstelle und NVMe-Protokoll – damit ein erheblicher Leistungssprung gegenüber SATA-III-Laufwerken zum attraktiven Preis. Sequenzielle Lesegeschwindigkeiten von bis zu 6.000 MB/s und Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 5.000 MB/s beschleunigen Betriebssystemstarts, Spieleladezeiten und Dateitransfers spürbar. Der Maxio-MAP1602A-Controller nutzt Host Memory Buffer (HMB) als DRAM-Ersatz und minimiert damit Leistungsaufnahme sowie Wärmeentwicklung, ohne auf NVMe-Geschwindigkeit verzichten zu müssen. SLC-Write-Caching verbessert die Schreibleistung bei kleineren bis mittleren Dateimengen, ECC und Wear Leveling sorgen für langfristige Datensicherheit. Die NV3 2TB ist als einseitig bestücktes M.2-2280-Modul (22 × 80 mm, 5,4 g) besonders platzsparend und eignet sich für Desktop-PCs, Notebooks sowie als PS5-Erweiterungsspeicher. TRIM- und S.M.A.R.T.-Unterstützung ermöglichen Zustandsüberwachung mit marktüblichen Tools; Acronis True Image für Windows steht als kostenloser Download zur Datenmigration zur Verfügung. Die Schreibausdauer beträgt 640 TBW (JEDEC JESD219A), die MTBF ist mit 2 Millionen Stunden angegeben. Der Betriebstemperaturbereich liegt zwischen 0 und 70 °C. # Technische Details Formfaktor: M.2 2280 (Key M, einseitig) Schnittstelle: PCIe 4.0 x4 / NVMe Kapazität: 2 TB (1.863 GiB nutzbar) NAND-Typ: 3D NAND Controller: Maxio MAP1602A (HMB, DRAMless) Cache: HMB + SLC Write Cache (dynamisch) Sequenzielles Lesen: bis zu 6.000 MB/s Sequenzielles Schreiben: bis zu 5.000 MB/s Schreibausdauer (TBW): 640 TBW MTTF: 2.000.000 Stunden Betriebstemperatur: 0–70 °C Lagertemperatur: -40–85 °C Vibration: 20 G (10–1.000 Hz) Abmessungen: 80 x 22 x 2,3 mm Gewicht: 5,4 g Funktionen: TRIM, S.M.A.R.T., ECC, Wear Leveling, HMB, SLC Write Cache, Acronis True Image Artikelnummer: SNV3S/2000G EAN: 0740617341096 #
2 TB Kingston NV3 (6.000/5.000 MB/s) M.2 2280 NVMe PCIe 4.0 x4 SSD, 2 TB, 3D NAND, 6.000/5.000 MB/s, 640 TBW, HMB info_outline
enthalten Die Kingston NV3 4TB ist eine M.2-2280-NVMe-SSD der NV3-Einstiegsserie mit PCIe-4.0-x4-Schnittstelle und NVMe-Protokoll – damit ein erheblicher Leistungssprung gegenüber SATA-III-Laufwerken zum attraktiven Preis. Sequenzielle Lesegeschwindigkeiten von bis zu 6.000 MB/s und Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 5.000 MB/s beschleunigen Betriebssystemstarts, Spieleladezeiten und Dateitransfers spürbar. Der Maxio-MAP1602A-Controller nutzt Host Memory Buffer (HMB) als DRAM-Ersatz und minimiert damit Leistungsaufnahme sowie Wärmeentwicklung, ohne auf NVMe-Geschwindigkeit verzichten zu müssen. SLC-Write-Caching verbessert die Schreibleistung bei kleineren bis mittleren Dateimengen, ECC und Wear Leveling sorgen für langfristige Datensicherheit. Die NV3 4TB ist als einseitig bestücktes M.2-2280-Modul (22 × 80 mm, 7 g) besonders platzsparend und eignet sich als primäres Hochkapazitätslaufwerk für Desktop-PCs und Notebooks sowie als PS5-Erweiterungsspeicher. TRIM- und S.M.A.R.T.-Unterstützung ermöglichen Zustandsüberwachung mit marktüblichen Tools; Acronis True Image für Windows steht als kostenloser Download zur Datenmigration zur Verfügung. Die Schreibausdauer beträgt 1.280 TBW (JEDEC JESD219A), die MTBF ist mit 2 Millionen Stunden angegeben. Der Betriebstemperaturbereich liegt zwischen 0 und 70 °C. # Technische Details Formfaktor: M.2 2280 (Key M, einseitig) Schnittstelle: PCIe 4.0 x4 / NVMe Kapazität: 4 TB (3.725 GiB nutzbar) NAND-Typ: 3D NAND Controller: Maxio MAP1602A (HMB, DRAMless) Cache: HMB + SLC Write Cache (dynamisch) Sequenzielles Lesen: bis zu 6.000 MB/s Sequenzielles Schreiben: bis zu 5.000 MB/s Schreibausdauer (TBW): 1.280 TBW MTTF: 2.000.000 Stunden Betriebstemperatur: 0–70 °C Lagertemperatur: -40–85 °C Vibration: 20 G (10–1.000 Hz) Abmessungen: 80 x 22 x 2,3 mm Gewicht: 7 g Funktionen: TRIM, S.M.A.R.T., ECC, Wear Leveling, HMB, SLC Write Cache, Acronis True Image Artikelnummer: SNV3S/4000G EAN: 0740617341102 #
4 TB Kingston NV3 (6.000/5.000 MB/s) M.2 2280 NVMe PCIe 4.0 x4 SSD, 4 TB, 3D NAND, 6.000/5.000 MB/s, 1.280 TBW, HMB info_outline
+240,90 € Die Samsung 990 PRO 1TB ist eine M.2-2280-NVMe-SSD der 990-PRO-High-End-Gaming-Serie auf Basis von Samsung V-NAND TLC mit Samsung In-house-Controller (nickelbeschichtet) und PCIe-4.0-x4/NVMe-2.0-Schnittstelle – und erreicht mit sequenziellen Lese- und Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 7.450 bzw. 6.900 MB/s nahezu das theoretische Maximum des PCIe-4.0-Standards. Gegenüber der 980 PRO ist sie bis zu 40 % schneller beim zufälligen Lesen und bis zu 55 % schneller beim zufälligen Schreiben; bis zu 1.200K/1.550K IOPS (4K, QD32) sorgen für eine überlegene Reaktionsschnelligkeit bei Gaming, 3D-Modellierung, 4K-Videobearbeitung und Datenanalyse. Intelligente TurboWrite-Technologie stellt dynamisch einen SLC-Puffer bereit, Dynamic Thermal Guard und das nickelbeschichtete Controller-Design regulieren die Betriebstemperatur zuverlässig. Die Effizienz liegt bei bis zu 1.380/1.319 MB/s pro Watt (sequenziell Lesen/Schreiben) – eine Steigerung von bis zu 50 % gegenüber der 980 PRO. Die 990 PRO 1TB ist als einseitig bestücktes M.2-2280-Modul mit 1 GB LPDDR4-DRAM-Cache (Samsung in-house) im kompakten Format (80 × 22 × 2,3 mm, max. 9 g) sowohl für Desktop-PC- und Notebook-Einbauplätze als auch als PS5-Erweiterungsspeicher geeignet. AES-256-Bit-Hardwareverschlüsselung sowie TCG/Opal-2.0-Unterstützung schützen gespeicherte Daten; Microsoft-eDrive-Kompatibilität ermöglicht die Integration in BitLocker. Samsung Magician Software und Samsung Data Migration stehen als kostenlose Downloads für Laufwerksverwaltung und Datenmigration zur Verfügung. Die Schreibausdauer beträgt 600 TBW, der Stromverbrauch liegt durchschnittlich bei 5,4 W (max. 7,8 W im Burst-Modus). # Technische Details Formfaktor: M.2 2280 (Key M, einseitig) Schnittstelle: PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0 (abwärtskompatibel PCIe 3.0 x4) Kapazität: 1 TB (931,5 GiB nutzbar) NAND-Typ: Samsung V-NAND TLC (3-Bit MLC) Controller: Samsung In-house (nickelbeschichtet) Cache: 1 GB Samsung LPDDR4 DRAM Sequenzielles Lesen: bis zu 7.450 MB/s Sequenzielles Schreiben: bis zu 6.900 MB/s 4K Random Read (QD32): bis zu 1.200.000 IOPS 4K Random Write (QD32): bis zu 1.550.000 IOPS 4K Random Read (QD1): bis zu 22.000 IOPS 4K Random Write (QD1): bis zu 80.000 IOPS Schreibausdauer (TBW): 600 TBW MTTF: 1.500.000 Stunden Stromverbrauch (aktiv): ø 5,4 W / max. 7,8 W (Burst) Stromverbrauch (Standby): max. 50 mW Betriebstemperatur: 0–70 °C Lagertemperatur: -45–85 °C Abmessungen: 80 x 22 x 2,3 mm Gewicht: max. 9 g Sicherheit: AES-256-Bit, TCG/Opal 2.0, MS eDrive Funktionen: TRIM, S.M.A.R.T., ECC, Intelligent TurboWrite, Dynamic Thermal Guard, Samsung Magician, Samsung Data Migration Farbe: Schwarz Artikelnummer: MZ-V9P1T0BW EAN: 8806094215021 #
1 TB Samsung 990 PRO (bis zu 7.450/6.900 MB/s) M.2 2280 NVMe PCIe 4.0 x4 SSD, 1 TB, Samsung V-NAND TLC, 7.450/6.900 MB/s, 600 TBW, AES-256 info_outline
-56,90 € Die Samsung 990 PRO 2TB ist eine M.2-2280-NVMe-SSD der 990-PRO-High-End-Gaming-Serie auf Basis von Samsung V-NAND TLC mit Samsung In-house-Controller (nickelbeschichtet) und PCIe-4.0-x4/NVMe-2.0-Schnittstelle – und erreicht mit sequenziellen Lese- und Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 7.450 bzw. 6.900 MB/s nahezu das theoretische Maximum des PCIe-4.0-Standards. Gegenüber der 980 PRO ist sie bis zu 40 % schneller beim zufälligen Lesen und bis zu 55 % schneller beim zufälligen Schreiben; bis zu 1.400K/1.550K IOPS (4K, QD32) sorgen für eine überlegene Reaktionsschnelligkeit bei Gaming, 3D-Modellierung, 4K-Videobearbeitung und Datenanalyse. Intelligente TurboWrite-Technologie stellt dynamisch einen SLC-Puffer bereit, Dynamic Thermal Guard und das nickelbeschichtete Controller-Design regulieren die Betriebstemperatur zuverlässig. Die Effizienz liegt bei bis zu 1.380/1.319 MB/s pro Watt – eine Steigerung von bis zu 50 % gegenüber der 980 PRO. Die 990 PRO 2TB ist als einseitig bestücktes M.2-2280-Modul mit 2 GB LPDDR4-DRAM-Cache (Samsung in-house) im kompakten Format (80 × 22 × 2,3 mm, max. 9 g) sowohl für Desktop-PC- und Notebook-Einbauplätze als auch als PS5-Erweiterungsspeicher geeignet. AES-256-Bit-Hardwareverschlüsselung sowie TCG/Opal-2.0-Unterstützung schützen gespeicherte Daten; Microsoft-eDrive-Kompatibilität ermöglicht die Integration in BitLocker. Samsung Magician Software und Samsung Data Migration stehen als kostenlose Downloads für Laufwerksverwaltung und Datenmigration zur Verfügung. Die Schreibausdauer beträgt 1.200 TBW, der Stromverbrauch liegt durchschnittlich bei 6,0 W (max. 8,5 W im Burst-Modus). # Technische Details Formfaktor: M.2 2280 (Key M, einseitig) Schnittstelle: PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0 (abwärtskompatibel PCIe 3.0 x4) Kapazität: 2 TB (1.863 GiB nutzbar) NAND-Typ: Samsung V-NAND TLC (3-Bit MLC) Controller: Samsung In-house (nickelbeschichtet) Cache: 2 GB Samsung LPDDR4 DRAM Sequenzielles Lesen: bis zu 7.450 MB/s Sequenzielles Schreiben: bis zu 6.900 MB/s 4K Random Read (QD32): bis zu 1.400.000 IOPS 4K Random Write (QD32): bis zu 1.550.000 IOPS 4K Random Read (QD1): bis zu 22.000 IOPS 4K Random Write (QD1): bis zu 80.000 IOPS Schreibausdauer (TBW): 1.200 TBW MTTF: 1.500.000 Stunden Stromverbrauch (aktiv): ø 6,0 W / max. 8,5 W (Burst) Stromverbrauch (Standby): max. 50 mW Betriebstemperatur: 0–70 °C Lagertemperatur: -45–85 °C Abmessungen: 80 x 22 x 2,3 mm Gewicht: max. 9 g Sicherheit: AES-256-Bit, TCG/Opal 2.0, MS eDrive Funktionen: TRIM, S.M.A.R.T., ECC, Intelligent TurboWrite, Dynamic Thermal Guard, Samsung Magician, Samsung Data Migration Farbe: Schwarz Artikelnummer: MZ-V9P2T0BW EAN: 8806094215038 #
2 TB Samsung 990 PRO (bis zu 7.450/6.900 MB/s) M.2 2280 NVMe PCIe 4.0 x4 SSD, 2 TB, Samsung V-NAND TLC, 7.450/6.900 MB/s, 1.200 TBW, AES-256 info_outline
+98,90 € Die Samsung 990 PRO 4TB ist eine M.2-2280-NVMe-SSD der 990-PRO-High-End-Gaming-Serie auf Basis von Samsung V-NAND TLC mit Samsung In-house-Controller (nickelbeschichtet) und PCIe-4.0-x4/NVMe-2.0-Schnittstelle – und erreicht mit sequenziellen Lese- und Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 7.450 bzw. 6.900 MB/s nahezu das theoretische Maximum des PCIe-4.0-Standards. Als Topmodell der Serie bietet sie mit bis zu 1.600K IOPS beim zufälligen Lesen (QD32) die höchste Random-Read-Leistung der gesamten 990-PRO-Familie; bis zu 1.550K IOPS beim zufälligen Schreiben sorgen für überlegene Reaktionsschnelligkeit bei Gaming, 3D-Modellierung, 4K/8K-Videobearbeitung und Datenanalyse. Intelligente TurboWrite-Technologie stellt dynamisch einen SLC-Puffer bereit, Dynamic Thermal Guard und das nickelbeschichtete Controller-Design regulieren die Betriebstemperatur zuverlässig; die Energieeffizienz ist um über 50 % pro Watt gegenüber der 980 PRO verbessert. Die 990 PRO 4TB ist als einseitig bestücktes M.2-2280-Modul mit 4 GB LPDDR4-DRAM-Cache (Samsung in-house) im kompakten Format (80 × 22 × 2,3 mm, max. 9 g) sowohl für Desktop-PC- und Notebook-Einbauplätze als auch als PS5-Erweiterungsspeicher geeignet. AES-256-Bit-Hardwareverschlüsselung sowie TCG/Opal-2.0- und IEEE-1667-Unterstützung schützen gespeicherte Daten; Microsoft-eDrive-Kompatibilität ermöglicht die Integration in BitLocker. Samsung Magician Software und Samsung Data Migration stehen als kostenlose Downloads für Laufwerksverwaltung und Datenmigration zur Verfügung. Die Schreibausdauer beträgt 2.400 TBW, der Stromverbrauch liegt durchschnittlich bei 6,5 W (max. 8,6 W im Burst-Modus). # Technische Details Formfaktor: M.2 2280 (Key M, einseitig) Schnittstelle: PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0 (abwärtskompatibel PCIe 3.0 x4) Kapazität: 4 TB (3.725 GiB nutzbar) NAND-Typ: Samsung V-NAND TLC (3-Bit MLC) Controller: Samsung In-house (nickelbeschichtet) Cache: 4 GB Samsung LPDDR4 DRAM Sequenzielles Lesen: bis zu 7.450 MB/s Sequenzielles Schreiben: bis zu 6.900 MB/s 4K Random Read (QD32): bis zu 1.600.000 IOPS 4K Random Write (QD32): bis zu 1.550.000 IOPS 4K Random Read (QD1): bis zu 22.000 IOPS 4K Random Write (QD1): bis zu 80.000 IOPS Schreibausdauer (TBW): 2.400 TBW MTTF: 1.500.000 Stunden Stromverbrauch (aktiv): ø 6,5 W / max. 8,6 W (Burst) Stromverbrauch (Standby): max. 50 mW Betriebstemperatur: 0–70 °C Lagertemperatur: -45–85 °C Abmessungen: 80 x 22 x 2,3 mm Gewicht: max. 9 g Sicherheit: AES-256-Bit, TCG/Opal 2.0, IEEE 1667, MS eDrive Funktionen: TRIM, S.M.A.R.T., ECC, Intelligent TurboWrite, Dynamic Thermal Guard, Samsung Magician, Samsung Data Migration Farbe: Schwarz Artikelnummer: MZ-V9P4T0BW EAN: 8806094947205 #
4 TB Samsung 990 PRO (bis zu 7.450/6.900 MB/s) M.2 2280 NVMe PCIe 4.0 x4 SSD, 4 TB, Samsung V-NAND TLC, 7.450/6.900 MB/s, 2.400 TBW, AES-256 info_outline
+325,90 € M.2 SSD (PCIe3.0) Die TEAMGROUP MP33 512GB ist eine M.2-2280-NVMe-SSD der MP33-Einstiegsserie auf Basis von Micron 3D NAND TLC (96-Layer) mit Silicon-Motion-Controller (SM2263XT, DRAMless) und NVMe-1.3-Protokoll über PCIe-Gen3-x4-Schnittstelle – damit rund dreimal schneller als SATA-III-Laufwerke zum vergleichbaren Preis. Sequenzielle Lese- und Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 1.700 bzw. 1.400 MB/s beschleunigen Betriebssystemstarts und Anwendungsladezeiten erheblich. SLC-Write-Caching verbessert dabei die Schreibleistung bei kleineren bis mittleren Dateimengen spürbar. Wear-Leveling-Technologie und Silicon-Motion-NANDXtend-ECC mit Low-Density-Parity-Check sorgen gemeinsam für eine zuverlässige und dauerhafte Datenspeicherung. Die MP33 512GB im kompakten M.2-2280-Formfaktor (22 × 80 mm, 3,8 mm Bauhöhe) lässt sich direkt in den M.2-Slot aktueller Intel- und AMD-Mainboards einbauen und eignet sich ebenso für Notebook-Upgrades. 4K-Random-Read-Performance von bis zu 220.000 IOPS und 4K-Random-Write-Performance von bis zu 200.000 IOPS sorgen für flüssige Systemreaktionszeiten auch bei vielen kleinen Dateien. TRIM, S.M.A.R.T., Active Garbage Collection und End-to-End-Datenpfadschutz gewährleisten stabile Langzeitleistung. Die Schreibausdauer beträgt > 400 TBW, die MTBF ist mit 1,5 Millionen Stunden angegeben. Der Betriebstemperaturbereich liegt zwischen 0 und 70 °C. # Technische Details Formfaktor: M.2 2280 (Key M) Schnittstelle: PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Kapazität: 512 GB (476,8 GiB nutzbar) NAND-Typ: Micron 3D NAND TLC (96-Layer) Controller: Silicon Motion SM2263XT (DRAMless) Cache: SLC Write Cache (dynamisch) Sequenzielles Lesen: bis zu 1.700 MB/s Sequenzielles Schreiben: bis zu 1.400 MB/s 4K Random Read: bis zu 220.000 IOPS 4K Random Write: bis zu 200.000 IOPS Schreibausdauer (TBW): > 400 TBW MTTF: 1,5 Millionen Stunden Spannung: DC +3,3 V Betriebstemperatur: 0–70 °C Lagertemperatur: -40–85 °C Abmessungen: 80 x 22 x 3,8 mm Gewicht: 6 g Funktionen: TRIM, S.M.A.R.T., ECC (NANDXtend), Wear Leveling, Active Garbage Collection Artikelnummer: TM8FP6512G0C101 EAN: 0765441048911 #
512 GB TeamGroup MP33 (bis zu 1.700/1.400 MB/s) M.2 2280 NVMe PCIe 3.0 x4 SSD, 512 GB, Micron 3D NAND TLC, 1.700/1.400 MB/s, >400 TBW info_outline
-152,90 € Die TEAMGROUP MP33 1TB ist eine M.2-2280-NVMe-SSD der MP33-Einstiegsserie auf Basis von Micron 3D NAND TLC (96-Layer) mit Silicon-Motion-Controller (SM2263XT, DRAMless) und NVMe-1.3-Protokoll über PCIe-Gen3-x4-Schnittstelle – damit rund dreimal schneller als SATA-III-Laufwerke zum vergleichbaren Preis. Sequenzielle Lese- und Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 1.700 bzw. 1.500 MB/s beschleunigen Betriebssystemstarts und Anwendungsladezeiten erheblich. SLC-Write-Caching verbessert dabei die Schreibleistung bei kleineren bis mittleren Dateimengen spürbar. Wear-Leveling-Technologie und Silicon-Motion-NANDXtend-ECC mit Low-Density-Parity-Check sorgen gemeinsam für eine zuverlässige und dauerhafte Datenspeicherung. Die MP33 1TB im kompakten M.2-2280-Formfaktor (22 × 80 mm, 3,8 mm Bauhöhe) lässt sich direkt in den M.2-Slot aktueller Intel- und AMD-Mainboards einbauen und eignet sich ebenso für Notebook-Upgrades. 4K-Random-Read-Performance von bis zu 260.000 IOPS und 4K-Random-Write-Performance von bis zu 240.000 IOPS sorgen für flüssige Systemreaktionszeiten auch bei vielen kleinen Dateien. TRIM, S.M.A.R.T., Active Garbage Collection und End-to-End-Datenpfadschutz gewährleisten stabile Langzeitleistung. Die Schreibausdauer beträgt > 800 TBW, die MTBF ist mit 1,5 Millionen Stunden angegeben. Der Betriebstemperaturbereich liegt zwischen 0 und 70 °C. # Technische Details Formfaktor: M.2 2280 (Key M) Schnittstelle: PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Kapazität: 1 TB (931,5 GiB nutzbar) NAND-Typ: Micron 3D NAND TLC (96-Layer) Controller: Silicon Motion SM2263XT (DRAMless) Cache: SLC Write Cache (dynamisch) Sequenzielles Lesen: bis zu 1.700 MB/s Sequenzielles Schreiben: bis zu 1.500 MB/s 4K Random Read: bis zu 260.000 IOPS 4K Random Write: bis zu 240.000 IOPS Schreibausdauer (TBW): > 800 TBW MTTF: 1,5 Millionen Stunden Spannung: DC +3,3 V Betriebstemperatur: 0–70 °C Lagertemperatur: -40–85 °C Abmessungen: 80 x 22 x 3,8 mm Gewicht: 8 g Funktionen: TRIM, S.M.A.R.T., ECC (NANDXtend), Wear Leveling, Active Garbage Collection Artikelnummer: TM8FP6001T0C101 EAN: 0765441048928 #
1 TB TeamGroup MP33 (bis zu 1.800/1.500 MB/s) M.2 2280 NVMe PCIe 3.0 x4 SSD, 1 TB, Micron 3D NAND TLC, 1.700/1.500 MB/s, >800 TBW info_outline
-117,90 € Die TEAMGROUP MP33 PRO 2TB ist eine M.2-2280-NVMe-SSD der MP33-PRO-Mainstream-Serie auf Basis von 3D NAND TLC (DRAMless) mit PCIe-3.0-x4-Schnittstelle und NVMe-1.3-Protokoll – damit rund fünfmal schneller als SATA-III-Laufwerke und ideal für kreative Workflows, Videobearbeitung und umfangreiche Datenspeicherung. Sequenzielle Lesegeschwindigkeiten von bis zu 3.500 MB/s und Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 3.000 MB/s (CrystalDiskMark) beschleunigen Betriebssystemstarts, Anwendungsladezeiten und Dateitransfers erheblich. SLC-Write-Caching verbessert die Schreibleistung bei kleineren bis mittleren Dateimengen spürbar. NANDXtend-ECC-Technologie, Wear Leveling und Active Garbage Collection sorgen gemeinsam für langfristige Datensicherheit und stabile Langzeitleistung. Die MP33 PRO 2TB im kompakten M.2-2280-Formfaktor (22 × 80 mm, 3,8 mm Bauhöhe) lässt sich direkt in den M.2-Slot aktueller Intel- und AMD-Mainboards sowie kompatibler Notebooks einbauen. TRIM- und S.M.A.R.T.-Unterstützung ermöglichen Zustandsüberwachung und optimale Pflege des Laufwerks mit marktüblichen Tools. Die Schreibausdauer beträgt > 480 TBW, die MTBF ist mit 2 Millionen Stunden angegeben. Der Betriebstemperaturbereich liegt zwischen 0 und 70 °C, die Stoßfestigkeit beträgt 1.500 G bei 0,5 ms. # Technische Details Formfaktor: M.2 2280 (Key M) Schnittstelle: PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Kapazität: 2 TB (1.863 GiB nutzbar) NAND-Typ: 3D NAND TLC DRAM-Cache: keiner (DRAMless) Cache: SLC Write Cache (dynamisch) Sequenzielles Lesen: bis zu 3.500 MB/s Sequenzielles Schreiben: bis zu 3.000 MB/s Schreibausdauer (TBW): > 480 TBW MTTF: 2.000.000 Stunden Spannung: DC +3,3 V Betriebstemperatur: 0–70 °C Lagertemperatur: -40–85 °C Stoßfestigkeit: 1.500 G / 0,5 ms Vibration: 80–2.000 Hz / 20 G Abmessungen: 80 x 22 x 3,8 mm Gewicht: 6 g Farbe: Blau/Schwarz Funktionen: TRIM, S.M.A.R.T., ECC (NANDXtend), Wear Leveling, Active Garbage Collection Artikelnummer: TM8FPD002T0C101 EAN: 0765441048966 #
2 TB TeamGroup MP33 PRO (bis zu 3.500/3.000 MB/s) M.2 2280 NVMe PCIe 3.0 x4 SSD, 2 TB, 3D NAND TLC, 3.500/3.000 MB/s, >480 TBW info_outline
-37,90 €